Тестирование на измерение крутизны характеристики МОП-транзисторов

Одной из наиболее важных характеристик определяющих быстродействаие МОП-транзистора является крутизна характеристики. Как измерить крутизну характеристики МОП-транзистора? Как автоматизировать данный процесс?

Крутизна характеристики МОП-транзисторов обычно измеряется на конкретной частоте (например, 1КГц). Такой тест моделируется с использованием небольших приращений DC значений. Например, предположим, что мы генерируем 2 напряжения затвор-исток с небольшой разницей друг относительно друга: V_зи1 и V_зи2 и измеряем два соответствующих значения тока стока I_с1 и I_с2. Крутизна характеристики МОП-транзистора g_пп может быть вычислена, как :

g_пп= I_с /V_зи , где I_с = I_с2 - I_с1 и V_зи = V_зи2 - V_зи1

2 графика включающих крутизну характеристики прямой передачи g_пп проиллюстрированы на рис.1 и рис.2

Рис.1 Результат по 10 операциям. Крутизна характеристики МОП-транзистора g_пп относительно напряжения затвор-исток V_зи

Рис.2 Результат по 10 операциям. Крутизна характеристики МОП-транзистора g_пп относительно тока стока I_с

Схема построения измерительного стенда для тестирования крутизны характеристики МОП-транзисторов приведена на рис.3. Для тестирования применяются 2-х канальный источник-измеритель серии Keithley 2600A.

Рис.3 Измерительный стенд для измерения крутизны характеристики МОП-транзистора

Канал B источника-измерителя генерирует напряжение затвор-исток V_зи. Канал А источника-измерителя генерирует напряжение сток-исток V_си и одновременно измеряет ток стока I_с. Крутизна характеристики МОП транзисторов g_пп программно вычисляется как отношение приращения ток стока I_с к приращению напряжения затвор-исток V_зи

Программирование источника-измерителя осуществляется через программное обеспечение Test Script Builder или TSP Express Software.

Более подробную информацию, в том числе и примеры программ-скриптов, Вы можете получить обратившись к нам и заказав диск DISK TEST SEMICONDUCTOR.