Тел.: (495) 781-4969, 344-6707, факс (495) 344-9810
На главную страницу
РАСПРОДАЖА!!!
Подписаться на
журнал "КИПиС"
Корзина 0 товаров
0,00 руб.
Заказать звонок
специалиста
На главную страницу Написать письмо Добавить в избранное Карта сайта Поиск
Поиск
Производители
Авторизация
Логин:
Пароль:
Забыли свой пароль?
Зарегистрироваться
Реклама
Журнал "Контрольно-измерительные приборы и системы"

C-V метрия (снятие вольт-фарадных характеристик)



Задача: 

Определение электрофизических параметров  диэлектрических и полупроводниковых слоев в ходе научных исследований или контроля качества технологических процессов.

Подзадачи:

  • МОП- конденсаторы и МОП-транзисторы:
    • определение толщины оксида,
    • уровня легирования полупроводника под окислом,
    • толщины обедненной области,
    • эффективный заряд в оксиде,
    • напряжение плоских зон,
    • пороговое напряжение,
    • длина Дебая (проникновения эл. поля в полупроводник) и др.
    • Время жизни носителей заряда
    • Подвижность ионов (при температурных испытаниях)

  • p-n переходы и диоды Шоттки:

измерение емкости перехода как функции приложенного напряжения

  • Фотоячейки:

Измерения прямо и обратно смещенных ячеек и экстракция параметров:- максимальная мощность, максимальный ток, ток КЗ, и др.

  • ПЗС-приборы (Приборы с зарядовой связью): С-V измерения приборов с плавающим затвором
Решение:

Система измерения параметров полупроводников Keithley 4200-SCS с опцией измерения C-V характеристик 4200-CVU.  Обеспечивает измерения в диапазоне:

  • частот: от 10 кГц до 10 МГц, (квазистатически с опцией 4200-CVU-PWR)
  • напряжений смещений: от -30В до +30В (от -200 до +200 В  или дифференциальных 400В с опцией 4200-CVU-PWR)

Измеретель C-V характеристик Keithley 4200-SCS с опцией CVU
Информация по теме:



Назад в раздел
Получить измерительные задачи по RSSПолучить измерительные задачи по RSS
Журнал "Контрольно-измерительные приборы и системы"
© ЭЛИКС, 1998-2016   Как сделать заказ
Rambler's Top100
Rambler's Top100 Рейтинг@Mail.ru Яндекс.Метрика