C-V метрия (снятие вольт-фарадных характеристик)

Задача:

Определение электрофизических параметров диэлектрических и полупроводниковых слоев в ходе научных исследований или контроля качества технологических процессов.

Подзадачи:

МОП- конденсаторы и МОП-транзисторы:
- определение толщины оксида,
- уровня легирования полупроводника под окислом,
- толщины обедненной области,
- эффективный заряд в оксиде,
- напряжение плоских зон,
- пороговое напряжение,
- длина Дебая (проникновения эл. поля в полупроводник) и др.
- Время жизни носителей заряда
- Подвижность ионов (при температурных испытаниях)

p-n переходы и диоды Шоттки:

измерение емкости перехода как функции приложенного напряжения

Фотоячейки:

Измерения прямо и обратно смещенных ячеек и экстракция параметров:- максимальная мощность, максимальный ток, ток КЗ, и др.

ПЗС-приборы (Приборы с зарядовой связью): С-V измерения приборов с плавающим затвором

Решение:

Система измерения параметров полупроводников Keithley 4200A-SCS с опцией измерения C-V характеристик 4210-CVU.

частотный диапазон от 1 кГц до 10 МГц
внутренний источник постоянного смещения ±30 В (60 В диф.)

Опция расширения для проведения мощной CV-метрии 4200-CVU-PWR

Диапазоны измерения от 1 пФ до 1 нФ
Тестовый сигнал от 100 кГц до 10 МГц (10 мВ...100 мВ)
Источник постоянного смещения ±200 В (400 В диф.) с разрешением 5 мВ
Измеряемые параметры: Cp-Gp, DCV, временные метки
Поддержка до 4-х SMU

Квазистатический способ CV-метрии

Требуется два модуля 4200-SMU или 4210-SMU с опцией 4200-PA
Поддержка постоянного смещения ±200 В

Ультранизкочастотная CV-метрия

Требуется два модуля 4200-SMU или 4210-SMU с опцией 4200-PA (частота 10 мГц...10 Гц)
Диапазон измерения от 1 пФ до 10 нФ
Экстракция:Cp-Gp, Cp-D, Cs-Rs, Cs-D, R-jX, Z-Theta, DCV, частота, временные метки

Измеретель C-V характеристик Keithley 4200-SCS с опцией CVU

Информация по теме:

Запросить консультацию и демонстрацию

Назад в раздел

Получить измерительные задачи по RSS