C-V метрия (снятие вольт-фарадных характеристик)

Определение электрофизических параметров диэлектрических и полупроводниковых слоев в ходе научных исследований или контроля качества технологических процессов.

Подзадачи:

• МОП- конденсаторы и МОП-транзисторы:
  • определение толщины оксида,
  • уровня легирования полупроводника под окислом,
  • толщины обедненной области,
  • эффективный заряд в оксиде,
  • напряжение плоских зон,
  • пороговое напряжение,
  • длина Дебая (проникновения эл. поля в полупроводник) и др.
  • Время жизни носителей заряда
  • Подвижность ионов (при температурных испытаниях)

• p-n переходы и диоды Шоттки:

измерение емкости перехода как функции приложенного напряжения

• Фотоячейки:

Измерения прямо и обратно смещенных ячеек и экстракция параметров:- максимальная мощность, максимальный ток, ток КЗ, и др.

• ПЗС-приборы (Приборы с зарядовой связью): С-V измерения приборов с плавающим затвором

Система измерения параметров полупроводников Keithley 4200A-SCS с опцией измерения C-V характеристик 4210-CVU.

• частотный диапазон от 1 кГц до 10 МГц
• внутренний источник постоянного смещения ±30 В (60 В диф.)

• Диапазоны измерения от 1 пФ до 1 нФ
• Тестовый сигнал от 100 кГц до 10 МГц (10 мВ...100 мВ)
• Источник постоянного смещения ±200 В (400 В диф.) с разрешением 5 мВ
• Измеряемые параметры: Cp-Gp, DCV, временные метки
• Поддержка до 4-х SMU

Квазистатический способ CV-метрии

• 
  
• Требуется два модуля 4200-SMU или 4210-SMU с опцией 4200-PA
• Поддержка постоянного смещения ±200 В

Ультранизкочастотная CV-метрия

• Требуется два модуля 4200-SMU или 4210-SMU с опцией 4200-PA (частота 10 мГц...10 Гц)
• Диапазон измерения от 1 пФ до 10 нФ
• Экстракция:Cp-Gp, Cp-D, Cs-Rs, Cs-D, R-jX, Z-Theta, DCV, частота, временные метки